对巨磁电阻效应的研究就是磁电子学的一个重要内容。磁场作用于磁性多层膜中导电电子的自旋，导致膜电阻发生很大的变化，这种变化可以通过测量电阻或以电压方式反映出来。根据这种特点可以在许多领域得到应用。
  本实验仪器采用巨磁阻传感器，可在微弱磁场中发生巨磁阻效应，操作简单，使用，方便，帮助同学们从实验现象和数据中，了解巨磁阻效应的原理和应用，掌握巨磁阻传感器的原理和应用。 
可开设的实验：
1、了解巨磁阻效应原理，掌握巨磁阻传感器原理及其特性。
2、学习巨磁阻传感器的定标方法，用巨磁阻传感器测量弱磁场。 
3、测量巨磁阻传感器敏感轴与被测磁场间夹角与传感器灵敏度的关系。
4、测量巨磁阻传感器的灵敏度与工作电压的关系。
主要参数：
1、巨磁阻传感器： 灵敏度3.3mV/V·Gs～4.0 mV/V·Gs；线性范围：–8.0Gs～+8.0Gs；饱和磁场15Gs。
2、传感器工作电源：4V～15V连续可调。
3、传感器测量信号4位半LED显示。
4、亥姆霍兹线圈： 线圈半径110mm；单个线圈匝数500匝；二线圈中心间距110mm；温升不大于10℃的大负荷电流不小于0.。
5、内置恒流源部分: 输出电流：0～0.，大电压 24V；3位半LED显示，小分辨率 1mA。