半导体电阻率测试仪是根据四探针原理，适合半导体器材厂，材料厂用于测量半导体材料（片状、棒状）的体电阻率，方块电阻（簿层电阻），也可以用作测量金属薄层电阻，经过对用户、半导体厂测试的调查，根据美国ASTM标准的规定，在电路和探头方面作了修改和，适合于半导体器材厂检测方面对中值、高阻硅、锗材料方块电阻和体电阻率的测量需要，成为普及型的电阻率测试仪，具有测量精度高，稳定性好，输入阻抗高，使用方便、价格低廉等特点。

仪器指标：

测量范围：电阻率10^-3—10³Ω-cm，分辩率为10^-4Ω-cm ，可扩展到10⁵Ω-cm

          方块电阻10^-2—10⁴Ω/□，分辩率为10^-3Ω/□，可扩展到10⁶Ω/□

          薄层金属电阻10^-4—10⁵Ω，分辩率为10^-4Ω

可测半导体材料尺寸：直径Φ15—Φ125mm；

长度：150mm(可扩展500mm)

测量方式：轴向、断面

数字电压表：

量程：20mV(分辩率：10μV)、200mV、2V

测量误差：±0.3%读数±1字

输入阻抗：大于108Ω

显示3 1/2 位红色发光二管（LED）数字显示

0---1999具有性、过载、小数点、单位自动显示

恒流源：由交流供电

直流电流：0—100mA连续可调

量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA

分辩率：10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA

电流误差：±0.3%读数±2字

电性能模拟考核误差：<±0.3%ASTM指标

测试探头：（1）探针机械游移率：± 0.3% ASTM 指标

电源：交流220V±10%   50HZ或60HZ  功率消耗< 30W

电气箱外形尺寸：119×440×320mm