霍尔效应的测量是研究半导体性质的实验法。利用霍尔系数和电导率的测量，用来确定半导体的导电类型和载流子浓度。通过测量霍尔系数与电导率随温度的变化，确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度系数等基本参数。
本仪器是利用电子和计算机数据采集系统，对霍尔样品在弱场条件下进行变温霍尔系数和电导率的测量，来确定半导体材料的性质。
变温霍尔效应实验仪是由电磁铁、可自动换向稳流源、恒温器、测温控温系统、数据采集及数据处理系统等组成。
产品特点：
1.可用范德堡法测量和标准法测量样品；
2.可手动测量和自动测量；
3.电流自动换向、磁测自动换向，电导和霍尔自动换向；
4.R1和R2自动测量。
规格参数：
电磁铁：0-400mT可调
励磁电源：0-6A可调，可自动换向
稳定性：＜±0.1%
数字特斯拉计：0-2000mT，四位半数字显示
恒流源输出：1μA-200mA连续可调
稳定性：±0.1%
数据采集系统霍尔电压测量范围：0-2000mV
数据采集系统霍尔电压分辨率：1uV
测温范围：77-450K
功率范围：200W
供电电源：AC 220V，50Hz
变温霍尔效应测量仪
