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霍尔效应的测量是研究半导体的重要实验方法
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发布日期:[2014-04-09] 共阅[1161]次 |
变温霍尔效应实验仪产品介绍: 霍尔效应的测量是研究半导体的重要实验方法。利用霍尔系数和电导率的联合测量,变温霍尔实验仪可以用来确定半导体的导电类型和载流子浓度。通过测量霍尔系数与电导率温度的变化,可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度系数等基本参数。本仪器采用现代电子和计算机数据采集系统,对霍尔样品钻弱场条件下进行变温霍尔系数和电导率的测量,来确定半导体材料的种性质。 变温霍尔效应实验仪实验装置: 变温霍尔实验仪主要是由电磁铁、可自动换向稳流源、恒温器、测温控温系统、数据采集及数据处理系统等。 变温霍尔效应实验仪指标: 电磁铁:0-300mT可调 励磁电源:0-可调,可自动换向 稳定性:<±0.1% 数字特斯拉计:0-2000mT三位半数字显示 恒流源输出:1mA 稳定性:±0.1% 数据采集系统霍尔电压测量zui小分辨率:1uV 温度变化测量范围:80-400K 工作电源:AC 220V;50Hz 功率范围:200W 
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