晶体三管正偏二次击穿、热阻抗测试系统产品简介：
晶体三管正偏二次击穿热阻抗测试仪可测试种型号中、大功率晶体管的二次击穿电压和热阻抗参数。系统软件基于微软视窗系统的操作环境，使您轻松掌握测试。
本系统采用计算机自动控制，为用户提供友好直观的操作界面，测试数据处理方便，自动绘制PD（热阻功率）曲线和二次击穿曲线，并求两曲线的交点，在该交点及其附近靠内一点测试器件的热阻值。
晶体三管正偏二次击穿、热阻抗测试系统功能特点：
1.正偏二次击穿电压测试可测试NPN型晶体三管，热阻抗测试可测试种型号中、大功率晶体管测试方法灵活、开放；
2.灵活的M值测试，可控制测试过程中不测试M值而自行输入M值；
3.可定时测试，稳态热阻测试也可定特定时间内zui大温差测试；
4.加热电源可遥控也可手动；
5.采用微机控制，基于Windows系统的控制软件，具有友好的人机交互界面，窗口填表式编程，测试结果以表格及图形曲线方式显示，使您轻松掌握测试。
晶体三管正偏二次击穿、热阻抗测试系统规格参数：
加热电压源：0-300V 负载能力：3.，可根据用户需要进行功率扩展，zui大到10A
加热电流源IH：
电流量程       分辨力     精度
-250mA-250mA   122uA     ±(610uA+2%set)
±(250mA~2.5)A 1.22mA    ±(6.1mA+2%set)
±(2.~3.5)A  12.2mA    ±(61mA+2%set)
测量电流源IM
电流量程：-250mA~250mA
分 辨 力：122uA
精    度：±(244uA+0.5%set)
VBE电压表：
电压量程        分辨力    精度
-312.5~312.5mV  152.5uV  ±(1.22mV+1%Rdg)
±(312.5~625)mV 305uV    ±(1.22mV+0.8%Rdg)
±(0.625~1.25)V 0.61mV   ±(2.44mV+0.3%Rdg)
±(1.25~2.5)V   1.22mV   ±(2.44mV+0.25%Rdg)
VCE电压表
电压量程          分辨力     精度
-8.125~8.125V     3.97 mV   ±(7.94mV+0.25%Rdg)
±(8.125~16.25)V  7.94mV    ±(15.88mV+0.25%Rdg)
±(16.25~32.5) V  15.88mV   ±(31.76mV+0.25%Rdg)
±(32.5~65) V     31.76mV   ±(63.52mV+0.25%Rdg)
±(65~130) V      63.52mV   ±(127.04mV+0.25%Rdg)
±(260~300) V     127.04mV  ±(254.08mV+0.25%Rdg)
加热脉冲宽度
脉宽：1ms 2ms 5ms 10ms 20ms 50ms 100ms 200ms 500ms
      1s 2s 5s 10s 20s 50s 100s 200s 500s 1000s 2000s 5000s
（1s以上的测试需要测试盒使用散热器）
测量范围：10℃~125℃
精        度：±0.5℃
环境温度：10℃~35℃ 开机到测量M 值，环境温度变化应在±2℃以内
光        照：应避免光线直射测试盒及主机
热        源：应避免测试盒及主机附近有较强热源
相对湿度：≤80%(40℃)
大气压力：86~106KPa
供电电压：220V±10%
供电电流：50Hz±5%
额定功率：1.5KW
zui大尺寸：550×535×220mm
总        重：50kg
预热时间：30分钟