四探针电阻率采购时需说明测试介质的性质，根据不同的介质选配不同个测试探头，以便达到设置的实验目的！具体信息可打询问！

四探针电阻率测定仪  货号：ZH221 
严格按照硅片电阻率测量的标准（ASTM F84）及标准设计制造，并针对目前常用的四探针电阻率测试仪存在的问题加以改进
是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。它主要由电气测量部份（简称：主机）、测试架及四探针头组成。
本仪器的特点是主机配置双数字表，在测量电阻率的同时，另一块数字表（以之几的精度）适时监测程的电流变化，免除了测量电流/测量电阻率的转换，及时掌控测量电流。主机还提供精度为0.05%的恒流源，使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些箔层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，好地保护箔膜。仪器配置了本公司的产品：“小游移四探针头”，探针游移率在0.1～0.2%。了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配HQ-710E数据处理器，测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正，并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的zui大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均习庋。给测量带来很大方便。
主机能数
测量范围：
可测电阻率：0.0001～19.9999cm
可测方块电阻：0.0001～1000Ωcm
恒流源：
输出电流：DC 0.001～100mA 五档连续可调
量程：0.001～0.01mA
0.01～0.10mA
0.10～1.0mA
1.0～10mA
10～100mA
恒流精度：档均低于±0.05%
直流数字电压表：
测量范围：0～19.999mV
灵敏度：1μV
基本误差：±（0.004%读数+0.01%满度）
输出电源：≥1000ΩM
供电电源：
AC 220V±10% 50/60 Hz 功率：12W
使用环境：
温度：23±2℃ 相对湿度：≤65%
较强的电场干扰，强光直接照射
重量、体积：
主机重量：7.5kg
体积：365×380×160（单位：mm 长度×宽度×高度）

四探针头
产品简介
使用几何尺寸的红宝石轴套，确保探针间距的恒定、准确。
控制宝石内孔与探针之间的缝隙不大于6μｍ，探针的小游移率。
采用的S型悬臂式弹簧，使每根探针都具有立、准确的压力。
量具精度的硬质合金探针，在宝石导孔内稳定运动，持久耐磨。
用途
测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率，测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻。
测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻。
探针间距
直线四探针…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
方形四探针…………… 1.00mm
直线三探针…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
两探针    …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
指标
游移率   
       B…………… ＜0.5%
       A……………＜0.3%
       AA………… ＜0.2%
       AAA…………＜0.1%
间距偏差  
        B…………… ＜3%
        A…………… ＜2%
        AA…………  ＜2%
        AAA………… ＜1%
zui大针与导孔间隙：0.006mm
探针材料：硬质合金（主成份：进口碳化钨）或高速钢
探针压力  标准压力：6—10N（4根针总压力）
          小压力：1.2—5N（4根针总压力）     
          1牛顿（N）=101.97克
针尖压痕直径：25—100μｍ、100—250μｍ（簿层）
500V缘电阻：＞1000MΩ 

四探针手动测试架
产品简介 
支架尺寸：
竖测高度：500mm
台面：200×300mm/240×380mm
特点：
主于测棒、块。
注：其它尺寸可按要求订做

四探针手动测试架  
产品简介 
支架尺寸：
竖测高度：120mm
台面：200×300mm
特点：
主于测片。