两探针电阻率测试仪ρ：0.001～1000Ω•cm 型号：GDS/KDY-2（测锗）

货号：ZH416

产品简介       GDW3-KDY-2型两探针电阻率测试仪是按照我国标准及美国材料与试验协会（ASTM）推荐的材料验收检测方法“两探针法”设计。它适合于测量模截面尺寸是可测量的，而且棒的长度大于横截面线度的有规则的长棒，例如横断面为圆形、正方形、长方形或梯形的单晶或多晶锭。由于两探针法的测量电流是从长棒两端进出，远离电压测量探针，因此电流流过金属与半导体接触处产生的许多副效应（如珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等），对测量的影响较小，因此两探针法的测量精度一般优于四探针法。是对多晶材料的测量，由于多晶晶粒间界处，杂质局部偏析可能导致电阻率较大变化，这种影响对四探针法为严重，故不推荐用四探针法测量多晶材料的电阻率。 本仪器除适合测量体形有规则的单晶棒外，也适合测量多晶棒。两探针法测量水平区熔多晶锗电阻率，在我国已有四十多年的实践经验，对区熔锗锭横截面面积的变化已总结出一套计算方法，本仪器采用李贺成提出的计算公式编写程序，可用微机HQ-710C处理区熔锗锭的测量数据，或采用KDY测量系统软件测量数据，并根据北京有色金属研究总院余怀之的提议，扩大了微处理机的数据处理范围。       本仪器主要由电气测量部份（简称：主机）、测试台及两探针头组成。仪器的特点是主机配置双数字表，在测量电阻率的同时，另一块数字表（以之几的精度）适时监测程的电流变化，免除了测量电流/测量电阻率的转换，及时掌控测量电流。主机还提供精度为0.05%的恒流源，使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，好地保护被测材料。仪器配置了本公司的产品：“小游移探针头”，间距为10mm的两探针头探针游移率在0.02～0.05%。了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机需配用HQ-710C数据处理器或KDY测量系统软件，置入须的数据后，处理器会配合探头在锗锭上移动测量，自动计算、打印出点的电阻率、电阻率的zui大值、电阻率zui小值，给测量带来很大方便。 主机参数 （1）测量范围：  可测电阻率：锗晶体0.1-100Ω·cm  可测锗锭尺寸：zui大长度700mm；zui大高度50mm；zui大宽度60mm。 （2）恒流源：  输出电流：DC 0.004-100mA  五档连续可调  量程：0.004-0.01mA              0.04-0.10mA           0.4-1.0mA            4.0-10mA           40-100mA 恒流精度：档均优于±0.05% （3）直流数字电压表：  测量范围：0-199.99mV  灵敏度：10μA  基本误差：±（0.004%读数+0.01%满度）  输入阻抗：≥1000MΩ （4）电阻测量误差：≤0.3% （5）两探针头：KDT-5  探针间距：10.00±0.02mm    游移率：0.02-0.05%            探针压力：4±1N/单针 （6）供电电源：  AC   220V   ±10%   50/60Hz   功率：12W （7）使用环境：  温度：23±2℃   相对温度：≤65%  较强的电场干扰，强光直接照射。 （8）重量、体积：  主机重量：7.5Kg  体积：390×340×190（单位：mm  长度×宽度×高度）