高频光电导少子寿命测试仪/高频光电寿命测试仪 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω•cm 型号：GDW3-LT1C

货号：ZH410

太阳能 硅片寿命 配已知寿命样片、配示波器 产品简介 1、用途 用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶的重要检测项目。 2、  设备组成 2.1、光脉冲发生装置 重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜1μｓ 红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：5A～20A 如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源 2.2、高频源 频率：30MHz       低输出阻抗      输出功率＞1W 2.3、放大器和检波器 频率响应：2Hz～2MHz 2.4、配用示波器 配用示波器：频带宽度不低于10MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。 3、测量范围 可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥0.1Ω·㎝（欧姆·厘米） 寿命值的测量范围：5～6000μｓ（微秒）