高频光电导少子寿命测试仪（基本型）τ:10～6000μs ρ＞3Ω•cm 型号：GDW3-LT-1A	货号：ZH411
1、  用途 用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶的重要检测项目。 2、  设备组成 2.1、光脉冲发生装置 重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ 红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：5A～20A 如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源 2.2、高频源 频率：30MHz       低输出阻抗      输出功率＞1W 2.3、放大器和检波器 频率响应：2Hz～2MHz 2.4、配用示波器 配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。 3、测量范围 LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米）,寿命值的测量范围：5～6000μｓ